用于高功率和高溫應用的AMB覆銅陶瓷基板！
作者：vbond 發布時間：2023-01-11 18:01 瀏覽次數 :
具有薄膜和厚膜導線的AMB覆銅陶瓷基板廣泛應用于微電子包裝中的高溫操作。包裝中最大的電流可能是數百個安培的大功率應用程序，通常需要更厚的導線。對于這些應用程序，DBC和直接鍵合鋁（DBA）或活AMB覆銅陶瓷基板是個不錯的選擇。這些基板提供低電阻、高載流量，從而設計出高溫操作的高功率電路。
這些基板中最常見的故障模式是金屬層和陶瓷層。由于處理條件（如最高溫度處理溫度）和基板暴露的處理氣體，陶瓷基板的使用壽命顯著降低。這也表明，沿邊緣和角落的金屬層可以減少陶瓷裂縫的擴展。
為了評估這些類型陶瓷基板在電力應用中的有效性，將各種金屬厚度與陶瓷成分相結合的基板（氧化鋁和氮化鋁）評估為熱沖擊循環函數。這些樣品包括金屬化的坑和非坑，樣品為-40℃和200℃熱循環。
此外，在熱循環過程中，銅與陶瓷基板的熱膨脹系數不匹配，通常會引起微觀和宏觀的裂縫和分層。低溫下的沉積過程可以避免固有的缺陷，如金屬和陶瓷基板之間的間隙。在這些過程中，濕沉積，如化學沉積和電沉積，具有成本效益、處理溫度簡單、處理溫度相對較低、膜均勻性和應力不匹配的優點。
這些AMB覆銅陶瓷基板中的一些熱循環暴露，在340℃合成氣體模擬工藝條件，隨機樣本提供具有統計意義的數據。在一定數量的熱循環后，觀察基板中分層裂紋的和擴展。如需了解更多，請持續關注我們！
