IGBT封裝是指將多個IGBT（絕緣柵雙極晶體管）芯片集成封裝在一起的過程。IGBT是一種功率半導體模塊，由IGBT芯片這一最關鍵、最基礎的器件構成。單個IGBT芯片封裝而成的器件為單管，而多個芯片封裝起來就組成了IGBT模塊。IGBT模塊被用作電子開關器件，在電力電子、工業自動化、新能源汽車等領域有廣泛應用。

IGBT封裝的主要形式包括引線型、焊針型、平板式、圓盤式等，這些封裝形式各有特點，適用于不同的應用場景。封裝過程中，需要采用先進的材料和工藝，以滿足高功率密度、高可靠性、高散熱性能等要求。具體來說，IGBT封裝的關鍵技術包括：

1. 芯片連接：IGBT芯片之間需要通過鋁線鍵合、鋁帶鍵合或銅線鍵合等方式進行連接，以確保電流的正常傳輸。
2. 散熱設計：由于IGBT在工作過程中會產生大量的熱量，因此散熱設計是封裝過程中的重要環節。通常，IGBT模塊會采用散熱片、散熱風扇等散熱裝置，以及優化芯片布局和尺寸等方式來提高散熱效率。
3. 封裝材料：IGBT封裝需要使用高性能的封裝材料，如陶瓷基板、金屬基板等。這些材料需要具有良好的電氣性能、熱性能和機械性能，以確保IGBT模塊的穩定性和可靠性。
4. 封裝工藝：IGBT封裝工藝包括焊接、燒結、邦線、組裝、涂密封膠、固化、灌硅凝膠、老化篩選等多個步驟。這些步驟需要嚴格控制工藝參數和流程，以確保IGBT模塊的質量和性能。

總的來說，IGBT封裝是將IGBT芯片集成封裝在一起的過程，其關鍵技術包括芯片連接、散熱設計、封裝材料和封裝工藝等。通過采用先進的封裝技術和材料，可以提高IGBT模塊的性能和可靠性，滿足各種應用場景的需求。