IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模塊封裝的技術要求非常嚴格，以確保模塊的高性能、高可靠性和長壽命。以下是對IGBT模塊封裝技術要求的詳細歸納：

一、基板材料要求

1. 熱導率高：基板材料需要具有良好的導熱性能，以便有效地將芯片產生的熱量傳遞出去，保持模塊的工作溫度穩定。
2. 介電常數低：基板材料的介電常數應盡可能低，以減少雜散電感，降低能源損耗。
3. 熱膨脹系數匹配：基板材料的熱膨脹系數應與芯片材料相匹配，以避免因熱應力導致的芯片開裂或脫落。
4. 力學強度優良：基板材料需要具有一定的強度，以承受封裝過程中的機械應力和使用過程中的熱應力。
5. 加工性能好：基板材料應易于加工和切割，以滿足封裝工藝的需求。
6. 成本低：在保證性能的前提下，基板材料的成本應盡可能低，以降低封裝成本。

二、封裝結構設計要求

1. 散熱設計：有效的散熱設計是IGBT模塊封裝的關鍵。通常采用散熱片、熱管、液冷系統等散熱措施，以確保模塊在高功率運行時保持較低的工作溫度。
2. 電磁兼容設計：IGBT模塊在工作過程中會產生電磁輻射和電磁干擾，因此需要進行合理的電磁兼容設計，如采用屏蔽措施和濾波技術等，以降低電磁輻射和干擾。
3. 保護設計：封裝結構中應集成過流保護、過溫保護、短路保護等電路，以確保在模塊出現異常時能夠迅速切斷電源，保護模塊和整個系統免受損壞。

三、封裝工藝要求

1. 高精度貼片：IGBT芯片和FRED芯片需要精確地貼裝在DBC（Direct Bonded Copper）印刷錫膏表面，以確保良好的電氣連接和熱傳導。
2. 高質量焊接：焊接過程需要確保焊點的可靠性和低空洞率，以提高模塊的導熱性能和機械強度。真空回流焊接技術是一種常用的高質量焊接方法。
3. 超聲波清洗：焊接完成后，需要對DBC半成品進行超聲波清洗，以確保IGBT芯片表面的潔凈度滿足鍵合打線要求。
4. X-RAY缺陷檢測：通過X光檢測篩選出空洞大小符合標準的半成品，防止不良品流入下一道工序。
5. 自動鍵合：通過鍵合打線將各個IGBT芯片或DBC間連結起來，形成完整的電路結構。鍵合過程需要確保鍵合點的選擇、鍵合的力度、時間及鍵合機的參數設置等參數的準確性。
6. 封裝與固化：對殼體進行點膠并加裝底板，進行灌膠與固化處理，以達到絕緣保護作用。

四、其他要求

1. 高可靠性：IGBT模塊封裝需要確保高可靠性，以滿足長時間穩定運行的需求。這要求封裝材料、結構和工藝都具備較高的質量水平。
2. 環境適應性：IGBT模塊需要適應不同的工作環境，如高溫、高濕、振動等。因此，封裝過程需要考慮這些環境因素對模塊性能的影響，并采取相應的措施進行防護。

綜上所述，IGBT模塊封裝的技術要求涉及基板材料、封裝結構設計、封裝工藝以及其他多個方面。這些要求共同確保了IGBT模塊的高性能、高可靠性和長壽命。