AMB覆銅陶瓷基板作為一種高性能的封裝材料，近年來(lái)在半導(dǎo)體功率模塊、新能源汽車(chē)、光伏新能源等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將深入探討AMB覆銅陶瓷基板的特點(diǎn)、制造工藝、應(yīng)用領(lǐng)域及其優(yōu)勢(shì)。
 
‌一、AMB覆銅陶瓷基板的特點(diǎn)‌
AMB覆銅陶瓷基板采用活性金屬釬焊工藝，將銅箔與陶瓷緊密結(jié)合。這一工藝使得AMB基板具有高結(jié)合強(qiáng)度、良好的冷熱循環(huán)可靠性，以及更高的熱導(dǎo)率和更好的銅層結(jié)合力。相較于傳統(tǒng)的直接覆銅（DBC）陶瓷基板，AMB基板在熱阻和可靠性方面表現(xiàn)出更明顯的優(yōu)勢(shì)‌。
 
‌二、AMB覆銅陶瓷基板的制造工藝‌
AMB覆銅陶瓷基板的制造過(guò)程包括在陶瓷板材表面涂覆活性金屬焊料，與無(wú)氧銅層裝夾，并在真空釬焊爐中進(jìn)行高溫焊接。之后，通過(guò)刻蝕出圖形制作電路，并對(duì)表面圖形進(jìn)行化學(xué)鍍。這一工藝的關(guān)鍵在于控制活性元素的氧化和偏析，以及高溫下有機(jī)物的揮發(fā)導(dǎo)致的孔洞和界面不致密的問(wèn)題‌。
 
‌三、AMB覆銅陶瓷基板的應(yīng)用領(lǐng)域‌
AMB覆銅陶瓷基板憑借其出色的導(dǎo)熱性能和穩(wěn)定的可靠性，成為SiC功率器件的理想選擇。在新能源汽車(chē)領(lǐng)域，隨著SiC技術(shù)的廣泛應(yīng)用，AMB基板作為SiC功率模塊的核心配套材料，展現(xiàn)出巨大的市場(chǎng)潛力。此外，AMB基板還廣泛應(yīng)用于光伏新能源、軌道交通等終端行業(yè)中的IGBT模塊、碳化硅超高壓電控及電驅(qū)平臺(tái)等‌。
 
‌四、AMB覆銅陶瓷基板的優(yōu)勢(shì)‌
‌高導(dǎo)熱率‌：AMB基板中的陶瓷材料，如氮化鋁（AlN）和氮化硅（Si3N4），具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性能，遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)的氧化鋁（Al2O3）DBC基板。這使得AMB基板在高溫、大功率、高散熱需求的應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色‌。
‌高可靠性‌：通過(guò)活性金屬釬焊工藝，AMB基板實(shí)現(xiàn)了銅與陶瓷之間的高溫冶金結(jié)合，具有更高的結(jié)合強(qiáng)度和冷熱循環(huán)可靠性。這保證了AMB基板在惡劣環(huán)境下的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行‌。
‌低空洞率‌：AMB基板的釬焊界面空洞率較低，這有助于提高產(chǎn)品的導(dǎo)熱、絕緣放電和結(jié)合可靠性。對(duì)于高功率電子器件封裝，一般要求空洞率低于1%，而AMB基板能夠滿(mǎn)足這一要求‌。
 
‌五、結(jié)論‌
綜上所述，AMB覆銅陶瓷基板以其出色的導(dǎo)熱性能、高可靠性和低空洞率等優(yōu)勢(shì)，在半導(dǎo)體功率模塊、新能源汽車(chē)、光伏新能源等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。隨著這些領(lǐng)域的快速發(fā)展，AMB基板的市場(chǎng)需求將持續(xù)增長(zhǎng)，成為高性能封裝材料的優(yōu)選之一。