關(guān)鍵材料 芯片：IGBT 芯片是核心部件，其性能（如耐壓、耐流、開關(guān)速度等 ）直接決定 IGBT 模塊的整體性能。高質(zhì)量的芯片需要先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝和優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體材料（如硅片 ）。 基板材料：如前面提到的 AMB 覆銅陶瓷基板、DBC 基板等。AMB 覆銅陶瓷基板通過活性金屬釬焊工藝將銅箔與陶瓷牢固結(jié)合，具有高導(dǎo)熱性、高絕緣性和良好的機(jī)械強(qiáng)度；DBC 基板則是通過高溫熔合工藝將銅箔與陶瓷結(jié)合，成本相對(duì)較低，在一些對(duì)成本敏感的應(yīng)用中使用較多。 鍵合材料：鍵合線（金線、鋁線、銅線 ）和鍵合焊接材料（如無鉛錫膏、燒結(jié)銀 ）。燒結(jié)銀具有高導(dǎo)電性、高導(dǎo)熱性和良好的機(jī)械穩(wěn)定性，在高功率 IGBT 模塊中逐漸得到廣泛應(yīng)用，可有效降低熱阻和電阻，提高模塊性能。 封裝材料：包括絕緣材料（塑料、陶瓷 ）、散熱材料（散熱膏、散熱墊 ）等。散熱膏要求具有高導(dǎo)熱性、低粘度、良好的填充性等特點(diǎn)，能有效填充芯片與散熱器之間的微小間隙，增強(qiáng)熱傳導(dǎo)效率。 關(guān)鍵工藝 芯片貼裝工藝：精確控制芯片貼裝位置和壓力，保證芯片與基板的良好接觸和散熱效果。對(duì)于共晶焊接工藝，要精準(zhǔn)控制焊接溫度、時(shí)間和氣氛等參數(shù)，確保形成高質(zhì)量的冶金結(jié)合。 鍵合工藝：準(zhǔn)確控制鍵合參數(shù)（如鍵合溫度、壓力、超聲功率、鍵合時(shí)間等 ），保證鍵合線與芯片電極和基板引腳之間的連接強(qiáng)度和電氣性能。不同鍵合材料和鍵合方式對(duì)應(yīng)的工藝參數(shù)有所差異，需要根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行優(yōu)化調(diào)整。 灌封或塑封工藝：灌封時(shí)要控制灌封材料的粘度、流動(dòng)性和固化條件（溫度、時(shí)間 ），確保灌封材料均勻填充內(nèi)部空間，避免產(chǎn)生氣泡等缺陷；塑封工藝要精確控制注塑模具的溫度、壓力和注塑速度等參數(shù)，保證封裝外殼的尺寸精度和內(nèi)部質(zhì)量。