1. 引言  
在IGBT封裝領域，散熱性能直接決定了器件的可靠性和功率密度。近年來，AMB（活性金屬釬焊）銅陶瓷基板憑借其卓越的導熱性、高機械強度和優異的絕緣性能，成為高功率模塊封裝的首選材料，相關技術討論占比高達55%。本文將深入探討AMB基板的技術特點、應用優勢及未來發展趨勢。  
 
 2. AMB銅陶瓷基板的技術特點  
- 超高導熱性：采用AlN（氮化鋁）或Al?O?（氧化鋁）陶瓷層，熱導率可達170~200 W/mK，遠優于傳統DBC（直接鍵合銅）基板。  
- 高結合強度：通過活性金屬釬焊工藝，銅層與陶瓷實現冶金結合，抗熱疲勞性能提升3倍以上。  
- 低熱膨脹系數（CTE）：與硅芯片匹配度高，大幅減少熱應力導致的焊層開裂問題。  
- 高電流承載能力：銅層厚度可定制（通常300~600μm），支持大電流應用。  
 
 3. AMB基板在IGBT封裝中的應用優勢  
- 高功率模塊：適用于新能源車、軌道交通等場景，可承載電壓高達1700V以上。  
- 雙面散熱設計：與燒結銀技術結合，實現芯片雙面冷卻，熱阻降低40%以上。  
- 高可靠性：在溫度循環（-40°C~150°C）測試中，AMB基板的壽命遠超傳統DBC基板。  
- 集成化封裝：支持多芯片并聯布局，簡化模塊設計（如EconoDUAL系列）。  
 
 4. 挑戰與解決方案  
- 成本較高：AMB工藝復雜，材料成本是DBC的2~3倍，需通過規模化生產降低成本。  
- 工藝精度要求高：釬焊溫度控制（800~900°C）和界面清潔度直接影響結合強度。  
- 大尺寸基板良率：超過200mm的基板易翹曲，需優化釬焊壓力和冷卻速率。  
 
 5. 未來發展趨勢  
- 材料創新：探索SiC陶瓷基板，進一步提升導熱性和高溫穩定性。  
- 薄型化設計：減少銅層厚度（<200μm）以降低重量，滿足航空航天需求。  
- 與先進互連技術結合：如銅燒結、瞬態液相焊接（TLP），實現更高可靠性封裝。  
 
 結語  
AMB銅陶瓷基板以其出色的綜合性能，正在成為高功率IGBT封裝的核心材料。隨著新能源和工業電氣的快速發展，AMB技術將加速普及，推動電力電子器件向高效、緊湊、可靠的方向邁進。