AMB覆銅陶瓷基板對于電力電子元器件的重要性！
作者：vbond 發布時間：2023-05-12 15:52 瀏覽次數 :
許多固體電力電子設備包括大功率電力LED，物理和耐熱陶瓷基材材料取決于射頻/微波、電動汽車、電氣基礎設施和軍事應用。與傳熱和導電金屬相結合的這些結構陶瓷，有助于將熱能傳遞給散熱器。散熱器可避免主要設備或部件的主動區域，并將電力電子設備與接地屏蔽層和外殼絕緣。
廣泛的基板生產技術和預處理可以進行，因為固態電力電子設備和零部件的多樣化和應用。該技術包括幾個最常見的討論。AMB覆銅陶瓷基板的制造方法和預制步驟對滿足廣泛應用的高功率電子性能要求非常重要。以下詳細描述了陶瓷材料選擇對各種陶瓷基板制造工藝的影響。
一、活性金屬釬焊（AMB）
對于固態電力電子設備和零件。AMB覆銅陶瓷基板選用真空釬焊工藝與瓷器結合的工藝金屬箔（一般為銅）。AMB最常用的是銀和銅，以及額外的鈦或鎵釬焊材料。AMB溫度范圍為800-1000℃，熔化溫度一般比釬焊合金高50-100℃。AMB為防止高反應釬焊合金的化學作用，在真空或惰性氣氛中制作覆銅陶瓷基板。
AMB覆銅陶瓷基板通常由氧化鋁或氮化鋁組成。AMB陶瓷基板可從比氮化鋁中受益AMB由于氧化鋁的高機械強度，厚銅箔層有助于防止金屬和半導體CTE不匹配會損壞半導體。AMB覆銅陶瓷基板相比它較厚的銅能實現較大的載流能力，增加熱擴散，可轉化為較好的熱控功率器件或較小的裸片尺寸。
另一種釬焊工藝是直接粘合鋁（DBA），其實是鋁硅（AISi）將厚鋁箔粘在瓷器上的復合材料。雖然鋁的傳熱和導電性小于銅，但在溫度循環過程中，軟鋁箔對半導體芯片的物理應變較小。因此，銅泊DBC或AMB相比，DBA通常會經歷更多的熱循環。
