陶瓷覆銅板是高壓大功率IGBT模塊的重要組成部件，其具有陶瓷的高導(dǎo)熱、高電絕緣、高機(jī)械強(qiáng)度、低脹大等特性，又兼具無氧銅的高導(dǎo)電性和優(yōu)異焊接性能，且能像PCB線路板相同刻蝕出各種圖形。特別是活性金屬釬焊（Active Metal Bonding，AMB）陶瓷覆銅板具有共同的耐高低溫沖擊失效才干，已成為新一代半導(dǎo)體（SiC）和新式大功率電力電子器件的首選封裝材料。由于高壓大功率IGBT模塊對封裝材料的散熱性、可靠性、載流量等要求更高，國內(nèi)相關(guān)技術(shù)水平落后導(dǎo)致國內(nèi)相關(guān)商場被歐、美、日等國家所獨(dú)占。

 

  近期，在活性金屬釬焊（AMB）陶瓷覆銅基板工程化制作領(lǐng)域取得突破，在國內(nèi)首先研發(fā)成功大面積（4.5”*4.5”）氮化鋁覆銅基板。項(xiàng)目組在研發(fā)進(jìn)程中先后突破了高精度釬料涂覆技術(shù)，建立了降低焊接應(yīng)力的理論，實(shí)現(xiàn)了高純度焊接和焊接層安排精密控制等工藝進(jìn)程，通過重復(fù)優(yōu)化，終究成功制作出低應(yīng)力、高可靠性、大面積覆銅基板。由于其在軍用功率電子和車輛電子等領(lǐng)域的特別地位，掌握了中心技術(shù)的日本、德國等少數(shù)發(fā)達(dá)國家對我國進(jìn)行了嚴(yán)厲的技術(shù)封鎖，本作用的取得為我國新一代半導(dǎo)體的研討與發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的根底，具有里程碑的意義。