從上個世紀(jì)80年代開端，納米銀已經(jīng)被許多學(xué)者及安排研討。在電子封裝范疇，納米銀的運用研討稍晚。

 

  SEMIKRON公司采用納米銀燒結(jié)技術(shù)替代傳統(tǒng)的Bongding技術(shù)制作出了IGBT模塊，如圖2和圖3所示所示。運用納米銀漿燒結(jié)技術(shù)后，不但組件的散熱問題，一同使組件的可裝性和可靠性大幅度提高。

微系統(tǒng)的功用、集成工藝、運用及開展等決定于構(gòu)成微系統(tǒng)的各類材料，這類材料包括半導(dǎo)體材料、封裝基板材料、絕緣材料、導(dǎo)體材料、鍵合聯(lián)接材料、封裝材料等。運用納米科技對微系統(tǒng)產(chǎn)品所用的材料進(jìn)行改進(jìn)，無疑會改進(jìn)微系統(tǒng)的功用。微系統(tǒng)集成技術(shù)的前進(jìn)與微系統(tǒng)封裝材料的開展是嚴(yán)密相關(guān)的。

 

  材料科學(xué)實驗證明，當(dāng)材料顆粒抵達(dá)納米級時，其具有很高的外表活性和外表能，這使得納米顆粒的熔點或者說燒結(jié)溫度遠(yuǎn)低于塊體材料。但其燒結(jié)后構(gòu)成的材料具有和塊體材料相似的熔點和功用。這就使其在微系統(tǒng)集成范疇具有很寬廣的運用遠(yuǎn)景。

 

  因金屬銀具有很高的熱導(dǎo)率、出色的導(dǎo)電性、抗腐蝕性及抗蠕變功用，且在執(zhí)役過程中不存在固態(tài)老化現(xiàn)象。特別適合作為大功率產(chǎn)品的組裝材料。使得在許多的納米材料中，納米銀成為研討比較搶手的封裝材料。

 

  納米銀的首要特性之一就是低溫?zé)Y(jié)，高溫執(zhí)役。其燒結(jié)溫度可低至150℃，乃至室溫，再次熔化溫度理論上可抵達(dá)960℃。這種特性關(guān)于復(fù)雜微系統(tǒng)產(chǎn)品集成具有明顯優(yōu)勢，特別是在多級組裝時，不再受溫度梯度的影響。能夠說對微系統(tǒng)產(chǎn)品的集成工藝開展具有跨年代的含義。