IGBT是由雙極晶體管（BJT）和絕緣柵場效應(yīng)晶體管（MOS）組成的復(fù)合全控電壓驅(qū)動功率半導(dǎo)體器件。它不僅具有MOSFET器件驅(qū)動功率低、開關(guān)速度快的優(yōu)點，而且具有雙極器件飽和壓降小、容量大的優(yōu)點。因此，非常適合于600V及以上交流系統(tǒng)的應(yīng)用。現(xiàn)在一般以IGBT模塊的形式出現(xiàn)，或者在模塊中集成門極驅(qū)動和保護(hù)電路，稱為智能功率模塊（IPM）。

隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展和能源的充分利用，要求器件具有更高的功率密度、更高的工作溫度、更低的功率損耗和更快的開關(guān)速度。目前，基于硅（SI）材料的功率器件已不能滿足更高的要求。碳化硅（SIC）和氮化鎵（GAN）材料是第三代寬帶隙半導(dǎo)體功率器件的代表材料，已廣泛應(yīng)用于電動汽車等領(lǐng)域。車載IGBT模塊除了具有較高的性能和開關(guān)頻率外，還應(yīng)考慮負(fù)載、氣候、振動等一系列環(huán)境因素。另外，根據(jù)國家規(guī)定，車用IGBT模塊的壽命要求不低于15年。這一要求除了對芯片的性能提出了更高的要求外，對IGBT模塊本身也提出了更高的要求，同時對IGBT封裝也提出了更高的要求。