與DBC陶瓷基板相比，AMB覆銅陶瓷基板具有更高的結合強度和熱循環特性。目前，隨著電力電子技術的快速發展，高鐵大功率器件的控制模塊對IGBT模塊封裝的關鍵材料有著巨大的需求，——陶瓷覆銅板，尤其是AMB基板逐漸成為主流應用。

　　氮化硅陶瓷覆銅基板采用活性金屬焊接工藝制備，可承受5 000次溫度循環(-40~125)，可承載300 A以上電流，已應用于電動汽車、航空航天等領域。特別是該產品采用活性金屬焊接工藝粘接多層無氧銅和氮化硅陶瓷，采用銅柱焊接實現垂直互連，對IGBT模塊小型化和高可靠性的要求有很好的促進作用。

　　此外，AMB基板在風能、太陽能、熱泵、水電、生物質能、綠色建筑、新能源設備、電動汽車、軌道交通等重要領域的應用越來越多。