先進(jìn)封裝材料在IGBT功率模塊中的創(chuàng)新應(yīng)用
隨著電力電子設(shè)備向高功率密度方向發(fā)展，IGBT封裝材料體系正經(jīng)歷革命性升級(jí)。......更多
2025-05-16
Miniled錫膏在先進(jìn)顯示封裝中的關(guān)鍵技術(shù)突破
隨著MiniLED顯示技術(shù)向更小間距、更高亮度方向發(fā)展，專用錫膏材料成為決定封裝良率和可靠性的核心要素。......更多
無鉛錫膏在MiniLED封裝中的技術(shù)革新與應(yīng)用實(shí)踐
隨著全球環(huán)保法規(guī)日趨嚴(yán)格和顯示技術(shù)不斷升級(jí)，無鉛錫膏在MiniLED封裝領(lǐng)域正迎來爆發(fā)式增長(zhǎng)。本文將深入分析新一代無鉛錫膏的技術(shù)特點(diǎn)、工藝挑戰(zhàn)及產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用現(xiàn)狀。......更多
2025-05-06
賀利氏粗鋁線在IGBT封裝中的創(chuàng)新應(yīng)用與性能突破
隨著電力電子器件向高壓大電流方向發(fā)展，傳統(tǒng)鍵合技術(shù)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。賀利氏粗鋁線（直徑300-500μm）憑借其卓越的導(dǎo)電性能和機(jī)械可靠性，正在成為大功率IGBT模塊封裝的關(guān)鍵互連材料......更多
DTS解決方案：IGBT雙面散熱技術(shù)的突破與應(yīng)用
在電力電子器件功率密度持續(xù)提升的背景下，散熱問題已成為制約IGBT性能的關(guān)鍵瓶頸。DTS（Double-sided Thermal Solution）雙面散熱解決方案通過創(chuàng)新性的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，將傳統(tǒng)單面散熱模塊的熱......更多
2025-04-27
鍵合條帶技術(shù)——IGBT模塊封裝中的互連革新
在電力電子器件不斷追求高功率密度和高可靠性的背景下，鍵合條帶技術(shù)正逐步取代傳統(tǒng)鍵合線，成為IGBT模塊封裝互連的主流方案。本文將深入探討鍵合條帶的技術(shù)優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用現(xiàn)狀及未......更多
AMB銅陶瓷基板——IGBT封裝中的散熱革命
在IGBT封裝領(lǐng)域，散熱性能直接決定了器件的可靠性和功率密度。近年來，AMB（活性金屬釬焊）銅陶瓷基板憑借其卓越的導(dǎo)熱性、高機(jī)械強(qiáng)度和優(yōu)異的絕緣性能，成為高功率模塊封裝的首......更多
2025-04-21
燒結(jié)銀在IGBT封裝中的關(guān)鍵作用與應(yīng)用前景
隨著電力電子設(shè)備向高功率、高密度方向發(fā)展，IGBT封裝技術(shù)對(duì)材料性能的要求日益嚴(yán)苛。在眾多先進(jìn)封裝材料中，燒結(jié)銀以其卓越的導(dǎo)熱性、導(dǎo)電性及高溫可靠性，成為高可靠性IGBT封裝......更多
