在電子封裝領域，納米銀漿最先被應用在大功率封裝領域。圖4到圖7所示為Guo-Quan Lu等人采用30nm-50nm的納米銀漿在275℃無壓狀態下獲得了良好的燒結接頭。接頭的致密度可達80%，剪切強度達到20MPa。燒結層的熱傳導率是普通共晶焊料的5 倍以上，這種由納米Ag 燒結層構成互連層的芯片基板互連技術是一種潛在的適合寬禁帶半導體器件（SiC或GaN）的技術。此外接頭還可承受300℃下，400小時的溫度存儲試驗。

 

  日本バソド化學公司2003年開發成功一種納米銀漿（粒徑數10nm），這種銀漿適用于樹脂系印刷電路板，可低溫燒成并保持低的電阻率，作為印刷電路板的微細電路構成將獲得實際應用。銀的熔點為961℃，而這種銀漿的熔點僅有100~150℃，可以用于各式各樣的印刷電路板貼裝。

 

  Bai John G等人將含30 nm 納米銀粉的焊膏加熱到280℃，其密度可以達到全密度的80%。該燒結的多孔銀粉焊膏的熱傳導率240W/(K·m)，電導率約為3.8×105S/cm，彈性模量為約9 GPa，拉伸強度為43 MPa。這種材料的物理性能遠遠優于普通釬料合金材料的性能，更適合應用于高可靠性領域。

 

  Daisuke Wakuda, Keun-Soo Kim等人通過化學方法制備出納米銀，其平均直徑不到10nm如圖8所示。然后在其中加入少量烷基胺制備出納米銀漿。這種納米銀漿可在室溫下燒結，燒結時間在30min內，提高燒結溫度可加速燒結過程并進一步降低接頭的電阻率。23℃燒結接頭的電阻率低至4.9×10-6Ωm，150℃燒結接頭（圖9所示）的電阻率可低至3.2×10-7Ωm。接頭的剪切強度可達8MPa。美中不足的是接頭在燒結時需要大約1MPa的壓力。在一定程度上限制了其應用邊界。